BSC018NE2LS Infineon
Symbol Micros:
TBSC018ne2ls
Obudowa: TDSON08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 69W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC018NE2LSI; BSC018NE2LSATMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 69W |
| Obudowa: | TDSON08 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 69W |
| Obudowa: | TDSON08 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |