BSC022N04LS6
Symbol Micros:
TBSC022n04ls6
Obudowa: TDSON08
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 3,2mOhm; 139A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BSC022N04LS6ATMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 3,2mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 139A |
Maksymalna tracona moc: | 79W |
Obudowa: | TDSON08 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC022N04LS6ATMA1 RoHS
Obudowa dokładna: TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 12,7900 | 10,5700 | 9,2600 | 8,6300 | 8,2500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC022N04LS6ATMA1
Obudowa dokładna: TDSON08
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
ilość szt. | 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 8,2500 |
Rezystancja otwartego kanału: | 3,2mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 139A |
Maksymalna tracona moc: | 79W |
Obudowa: | TDSON08 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |