BSC022N04LS6

Symbol Micros: TBSC022n04ls6
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TDSON08
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 3,2mOhm; 139A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BSC022N04LS6ATMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 139A
Maksymalna tracona moc: 79W
Obudowa: TDSON08
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSC022N04LS6ATMA1 RoHS Obudowa dokładna: TDSON08 karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 12,7900 10,5700 9,2600 8,6300 8,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Producent: Infineon Symbol producenta: BSC022N04LS6ATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 3,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 139A
Maksymalna tracona moc: 79W
Obudowa: TDSON08
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD