BSC039N06NS Infineon

Symbol Micros: TBSC039n06ns
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TDSON-8
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,9mOhm; 100A; 69W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC039N06NSATMA1; SP000985386;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 5,9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 100A
Maksymalna tracona moc: 69W
Obudowa: TDSON-8
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSC039N06NSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9143
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 5,9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 100A
Maksymalna tracona moc: 69W
Obudowa: TDSON-8
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD