BSC042N03LSGATMA1 Infineon
Symbol Micros:
TBSC042n03ls
Obudowa: TDSON08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,5mOhm; 93A; 57W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 93A |
| Maksymalna tracona moc: | 57W |
| Obudowa: | TDSON08 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC042N03LSG RoHS
Obudowa dokładna: TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
67 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,8700 | 1,8000 | 1,5000 | 1,3300 | 1,2500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC042N03LSGATMA1
Obudowa dokładna: TDSON08
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 93A |
| Maksymalna tracona moc: | 57W |
| Obudowa: | TDSON08 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |