BSC0504NSIATMA1
Symbol Micros:
TBSC0504nsi
Obudowa: TDSON08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 3,7mOhm; 72A; 30W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 72A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TDSON08 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC0504NSIATMA1
Obudowa dokładna: TDSON08
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1341 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 72A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TDSON08 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |