BSC066N06NS

Symbol Micros: TBSC066n06ns
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TDSON08
N-MOSFET 64A 60V 46W 0.0066Ω BSC066N06NSATMA1
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 6,6mOhm
Maksymalny prąd drenu: 64A
Maksymalna tracona moc: 46W
Obudowa: TDSON08
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSC066N06NSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3479
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 6,6mOhm
Maksymalny prąd drenu: 64A
Maksymalna tracona moc: 46W
Obudowa: TDSON08
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD