BSC070N10NS3 G

Symbol Micros: TBSC070n10ns3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TDSON-8
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 14mOhm; 90A; 114W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC070N10NS3GATMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 14mOhm
Maksymalny prąd drenu: 90A
Maksymalna tracona moc: 114W
Obudowa: TDSON-8
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSC070N10NS3G RoHS Obudowa dokładna: TDSON-8 karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,4800 6,7700 5,7900 5,2000 4,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 14mOhm
Maksymalny prąd drenu: 90A
Maksymalna tracona moc: 114W
Obudowa: TDSON-8
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD