BSC076N06NS3 G
Symbol Micros:
TBSC076n06ns3
Obudowa: TDSON08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,6mOhm; 75A; 69W; -55°C ~ 150°C; BSC076N06NS3GATMA1
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 75A |
| Maksymalna tracona moc: | 69W |
| Obudowa: | TDFN08 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC076N06NS3GATMA1
Obudowa dokładna: TDSON08
Magazyn zewnętrzny:
25000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0530 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC076N06NS3GATMA1
Obudowa dokładna: TDSON08
Magazyn zewnętrzny:
50000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1191 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC076N06NS3GATMA1
Obudowa dokładna: TDSON08
Magazyn zewnętrzny:
250000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0745 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-05-08
Ilość szt.: 100
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 75A |
| Maksymalna tracona moc: | 69W |
| Obudowa: | TDFN08 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |