BSC093N04LS G Infineon
Symbol Micros:
TBSC093n04ls
Obudowa: TDSON08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 13,7mOhm; 49A; 35W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC093N04LSGATMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 49A |
| Maksymalna tracona moc: | 35W |
| Obudowa: | TDSON08 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC093N04LSGATMA1
Obudowa dokładna: TDSON08
Magazyn zewnetrzny:
94980 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7126 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 49A |
| Maksymalna tracona moc: | 35W |
| Obudowa: | TDSON08 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |