BSC097N06NS

Symbol Micros: TBSC097n06ns
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TDSON08
Trans MOSFET N-CH 60V 46A 8-Pin TDSON EP BSC097N06NSATMA1
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 14,6mOhm
Maksymalny prąd drenu: 48A
Maksymalna tracona moc: 43W
Obudowa: TDSON08
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSC097N06NSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt.
ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9476
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 14,6mOhm
Maksymalny prąd drenu: 48A
Maksymalna tracona moc: 43W
Obudowa: TDSON08
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD