BSC120N03LSG INFINEON
Symbol Micros:
TBSC120n03lsg
Obudowa: TDSON-8
N-MOSFET 30V 12A BSC120N03LSGATMA1
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 12mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | TDSON-8 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC120N03LSGATMA1
Obudowa dokładna: TDSON-8
Magazyn zewnetrzny:
175000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6428 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC120N03LSGATMA1
Obudowa dokładna: TDSON-8
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6694 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 12mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | TDSON-8 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |