BSC340N08NS3GATMA1 Infineon

Symbol Micros: TBSC340n08ns3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TDSON08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 66mOhm; 23A; 32W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 66mOhm
Maksymalny prąd drenu: 23A
Maksymalna tracona moc: 32W
Obudowa: TDSON08
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 66mOhm
Maksymalny prąd drenu: 23A
Maksymalna tracona moc: 32W
Obudowa: TDSON08
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD