BSC440N10NS3GATMA1

Symbol Micros: TBSC440n10ns3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TDSON-8
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3 G;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 44mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,3A
Maksymalna tracona moc: 29W
Obudowa: TDSON-8
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSC440N10NS3G RoHS Obudowa dokładna: TDSON-8 karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 6,6300 4,6400 3,8300 3,5400 3,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Rezystancja otwartego kanału: 44mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,3A
Maksymalna tracona moc: 29W
Obudowa: TDSON-8
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD