BSH111
Symbol Micros:
TBSH111
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 10V; 8Ohm; 335mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH111BKR; BSH111,235;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 8Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 335mA |
Maksymalna tracona moc: | 830mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 55V |
Rezystancja otwartego kanału: | 8Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 335mA |
Maksymalna tracona moc: | 830mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |