BSH202 SOT23 TECH PUBLIC

Symbol Micros: TBSH202 TEC
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 330mOhm; 2A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH202(TP);
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 330mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 1W
Obudowa: SOT23
Producent: TECH PUBLIC
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: TECH PUBLIC Symbol producenta: BSH202 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9500 0,4820 0,2920 0,2310 0,2110
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 330mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 1W
Obudowa: SOT23
Producent: TECH PUBLIC
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD