BSL307SPH6327 Infineon

Symbol Micros: TBSL307sp
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TSOP06
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 74mOhm; 5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL307SPH6327XTSA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 74mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,5A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: TSOP06
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSL307SPH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: TSOP06 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1150 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,9900 1,8900 1,4900 1,3600 1,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 74mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,5A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: TSOP06
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD