BSL308PEH6327 Infineon

Symbol Micros: TBSL308pe
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TSOP06
2P-MOSFET 30V 2A 80mΩ 500mW BSL308PEH6327XTSA1
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 80mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: TSOP06
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: 2xP-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSL308PEH6327XTSA1 Obudowa dokładna: TSOP06  
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4795
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BSL308PEH6327XTSA1 Obudowa dokładna: TSOP06  
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4647
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 80mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: TSOP06
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: 2xP-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD