BSN20-7

Symbol Micros: TBSN20-7 Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 500mA; 600mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 500mA
Maksymalna tracona moc: 600mW
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BSN20-7 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2215 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8100 0,4110 0,2490 0,1970 0,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 500mA
Maksymalna tracona moc: 600mW
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD