BSP129H6327XTSA1

Symbol Micros: TBSP129
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 20Ohm
Maksymalny prąd drenu: 350mA
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOT223-3
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 240V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP129H6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT223-4 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,1500 2,0000 1,5800 1,4300 1,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP129H6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT223-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1655 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,1500 2,0000 1,5800 1,4300 1,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP129H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3  
Magazyn zewnętrzny:
7000 szt.
ilość szt. 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP129H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3  
Magazyn zewnętrzny:
3650 szt.
ilość szt. 25+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP129H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3  
Magazyn zewnętrzny:
19000 szt.
ilość szt. 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 20Ohm
Maksymalny prąd drenu: 350mA
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOT223-3
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 240V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD