BSP149

Symbol Micros: TBSP149
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 660mA
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOT223-3
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP149H6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT223-3 karta katalogowa
Stan magazynowy:
3 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,7600 2,5000 2,0700 1,8700 1,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP149H6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,7600 2,5000 2,0700 1,8700 1,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP149H6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT223-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,7600 2,5000 2,0700 1,8700 1,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP149H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3  
Magazyn zewnętrzny:
9250 szt.
ilość szt. 25+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 2,2997
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP149H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3  
Magazyn zewnętrzny:
20000 szt.
ilość szt. 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 3,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 660mA
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOT223-3
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD