BSP170P

Symbol Micros: TBSP170p
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP170PH6327XTSA1; BSP170P H6327;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 300mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,9A
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOT223
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP170PH6327 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,6500 1,6600 1,3800 1,2300 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 300mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,9A
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOT223
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD