BSP171P
Symbol Micros:
TBSP171
Obudowa: SOT223
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP171PH6327XTSA1; BSP171P H6327
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 450mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,9A |
Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 450mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,9A |
Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |