BSP315P

Name: TBSP315p TBSP315p
Brand: Infineon
SKU: TBSP315p
Price: 1.580000 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSP315p

Obudowa: SOT223t/r

Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 1,4Ohm; 1,17A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP315P; BSP315PH6327XTSA1; BSP315P H6327; BSP315PH6327;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	1,4Ohm
Maksymalny prąd drenu:	1,17A
Maksymalna tracona moc:	1,8W
Obudowa:	SOT223t/r
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	60V
Typ tranzystora:	P-MOSFET

Producent: Infineon Symbol producenta: BSP315PH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

1150 szt.

ilość szt.	2+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	3,6300	2,3000	1,8200	1,6500	1,5800

Producent: Infineon Symbol producenta: BSP315PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223t/r

Magazyn zewnetrzny:

81000 szt.

ilość szt.	1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	1,5800

Producent: Infineon Symbol producenta: BSP315PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223t/r

Magazyn zewnetrzny:

174000 szt.

ilość szt.	3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	1,5800

Producent: Infineon Symbol producenta: BSP315PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223t/r

Magazyn zewnetrzny:

9775 szt.

ilość szt.	25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	1,5800

Rezystancja otwartego kanału:	1,4Ohm
Maksymalny prąd drenu:	1,17A
Maksymalna tracona moc:	1,8W
Obudowa:	SOT223t/r
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	60V
Typ tranzystora:	P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Montaż:	SMD

Ilość szt.	3+	10+	50+	300+	1500+
cena netto (PLN)	1,4000	0,9170	0,6590	0,5640	0,5370

Ilość szt.	2+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	2,1800	1,3200	1,0200	0,9180	0,8730