BSP322P Infineon
Symbol Micros:
TBSP322p
Obudowa: SOT223
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1Ohm; 1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP322PH6327XTSA1; BSP322PL6327HTSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |