BSP373

Symbol Micros: TBSP373
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
N-MOSFET 1.7A 100V 1.8W 0.3Ω BSP373NH6327XTSA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 300mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,7A
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOT223
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP373NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
13000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7747
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP373NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
425 szt.
ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8410
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP373NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7355
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 300mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,7A
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOT223
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta