BSP75NTA
Symbol Micros:
TBSP75nta
Obudowa:
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 675mOhm; 1,3A; 1,5W; -40°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 675mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 675mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |