BSR802NL INFINEON

Symbol Micros: TBSR802nl
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC-59
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 32mOhm; 3,7A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSR802NL6327HTSA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 32mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,7A
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: SC-59
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSR802N L6327 RoHS Obudowa dokładna: SC-59 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9500 1,0800 0,8520 0,8040 0,7780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 32mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,7A
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: SC-59
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD