BSS119NH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSS119n
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 190mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS119NH6327XTSA1; BSS119 L6327; BSS119NH6433XTMA1
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Maksymalny prąd drenu: | 190mA |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Maksymalny prąd drenu: | 190mA |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |