BSS123_R1_00001 Panjit International Inc.
Symbol Micros:
TBSS123_R1_00001
Obudowa: SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW ODPOWIEDNIK: BSS123-R1; BSS123_R1_00001;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | PANJIT |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | PANJIT |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |