BSS126H6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSS126
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 700Ohm; 21mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS126H6327XTSA2; BSS126 H6327; BSS126H6327XT; BSS126H6327XTSA2; BSS126H6906XTSA1; BSS126 H6327;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 700Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 21mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS126 H6327 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8600 | 1,0200 | 0,8050 | 0,7460 | 0,7150 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS126H6327XTSA2
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
93000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7150 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS126H6327XTSA2
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
480000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7150 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 700Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 21mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |