BSS126H6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSS126
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 700Ohm; 21mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS126H6327XTSA2; BSS126 H6327; BSS126H6327XT; BSS126H6327XTSA2; BSS126H6906XTSA1; BSS126 H6327;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 700Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 21mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 700Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 21mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |