BSS126H6327 Infineon

Symbol Micros: TBSS126
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 700Ohm; 21mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS126H6327XTSA2; BSS126 H6327; BSS126H6327XT; BSS126H6327XTSA2; BSS126H6906XTSA1; BSS126 H6327;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 700Ohm
Maksymalny prąd drenu: 21mA
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSS126 H6327 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1600 0,6140 0,4760 0,4400 0,4210
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: BSS126H6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
309000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4210
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BSS126H6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4210
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 700Ohm
Maksymalny prąd drenu: 21mA
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta