BSS131

Symbol Micros: TBSS131 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Odpowiedniki: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 14Ohm
Maksymalny prąd drenu: 100mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 240V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: YFW Symbol producenta: BSS131 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 150+ 750+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8820 0,3830 0,2500 0,2080 0,1960
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: BSS131 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 150+ 750+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8820 0,3830 0,2500 0,2080 0,1960
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Rezystancja otwartego kanału: 14Ohm
Maksymalny prąd drenu: 100mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 240V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta