BSS131 JSMICRO
Symbol Micros:
TBSS131 JSM
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 4,5Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | JSMICRO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | JSMICRO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
BSS131H6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 110mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS131H6327XTSA1; BSS131 H6327; BSS131;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
BSS131H6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
345 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 1,0300 | 0,5230 | 0,3170 | 0,2510 | 0,2290 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS131 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 110mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1;
Producent:
SLKOR
Symbol producenta:
BSS131 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,8960 | 0,4540 | 0,2750 | 0,2180 | 0,1990 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)