BSS138 SOT23 RealChip
Symbol Micros:
TBSS138 REA
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 4Ohm; 200mA; 225mW; -50°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4Ohm |
| Maksymalna tracona moc: | 225mW |
| Maksymalny prąd drenu: | 200mA |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | RealChip |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4Ohm |
| Maksymalna tracona moc: | 225mW |
| Maksymalny prąd drenu: | 200mA |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | RealChip |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -50°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |