BSS138DW-7-F Diodes INCORPORATED
Symbol Micros:
TBSS138dw
Obudowa: SC70-6
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 200mA |
| Maksymalna tracona moc: | 200mW |
| Obudowa: | SC70-6 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 50V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS138DW-7-F RoHS
Obudowa dokładna: SC70-6 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
135 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1200 | 0,6110 | 0,4010 | 0,3620 | 0,3190 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS138DW-7-F
Obudowa dokładna: SC70-6
Magazyn zewnetrzny:
483000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7982 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS138DW-7-F
Obudowa dokładna: SC70-6
Magazyn zewnetrzny:
150000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3190 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 200mA |
| Maksymalna tracona moc: | 200mW |
| Obudowa: | SC70-6 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 50V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |