BSS138PS NXP
Symbol Micros:
TBSS138ps
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138PS,115;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 320mA |
Maksymalna tracona moc: | 420mW |
Obudowa: | SOT363 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: BSS138PS RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
8038 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,8600 | 0,4360 | 0,2640 | 0,2090 | 0,1910 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS138PS,115
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
126000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1910 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS138PS,115
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
222000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1910 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS138PS,115
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1910 |
Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 320mA |
Maksymalna tracona moc: | 420mW |
Obudowa: | SOT363 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |