BSS138PS NXP

Symbol Micros: TBSS138ps
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138PS,115;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 320mA
Maksymalna tracona moc: 420mW
Obudowa: SOT363
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: NXP Symbol producenta: BSS138PS RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
8038 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8600 0,4360 0,2640 0,2090 0,1910
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Nexperia Symbol producenta: BSS138PS,115 Obudowa dokładna: SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
126000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1910
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BSS138PS,115 Obudowa dokładna: SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
222000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1910
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BSS138PS,115 Obudowa dokładna: SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1910
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 320mA
Maksymalna tracona moc: 420mW
Obudowa: SOT363
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD