BSS138PS NXP
Symbol Micros:
TBSS138ps
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138PS,115;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 320mA |
| Maksymalna tracona moc: | 420mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: BSS138PS RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
7538 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,6700 | 1,6900 | 1,3300 | 1,2100 | 1,1600 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS138PS,115
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
132000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1600 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS138PS,115
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 320mA |
| Maksymalna tracona moc: | 420mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |