BSS138PS

Symbol Micros: TBSS138PS TEC
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor Dual N-Channel MOSFET; 60V; +/-20V; 1,9Ohm; 300mA; 0,35W; -55°C~150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,9Ohm
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT363
Producent: TECH PUBLIC
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: TECH PUBLIC Symbol producenta: BSS138PS RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9100 0,4980 0,3270 0,2820 0,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Rezystancja otwartego kanału: 1,9Ohm
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT363
Producent: TECH PUBLIC
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta