BSS138A SOT323 HT SEMI

Symbol Micros: TBSS138pw HTSEMI
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138PW;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 340mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT323
Producent: HT SEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: HT SEMI Symbol producenta: BSS138A RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3560 0,1400 0,0820 0,0600 0,0548
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 340mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT323
Producent: HT SEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD