BSS192 smd

Symbol Micros: TBSS192
Symbol Kontrahenta:
Obudowa:  
P-MOSFET 200mA 240V 1W 12Ω BSS192,115
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 12Ohm
Maksymalny prąd drenu: 200mA
Maksymalna tracona moc: 1W
Obudowa: SOT89
Producent: Philips
Maksymalne napięcie dren-źródło: 240V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Nexperia Symbol producenta: BSS192,135 Obudowa dokładna: SOT89  
Magazyn zewnętrzny:
20000 szt.
ilość szt. 699+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6892
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BSS192,115 Obudowa dokładna: SOT89  
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6741
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BSS192,115 Obudowa dokładna: SOT89  
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
ilość szt. 699+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6892
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 12Ohm
Maksymalny prąd drenu: 200mA
Maksymalna tracona moc: 1W
Obudowa: SOT89
Producent: Philips
Maksymalne napięcie dren-źródło: 240V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Montaż: SMD