BSS192 smd
Symbol Micros:
TBSS192
Obudowa:
P-MOSFET 200mA 240V 1W 12Ω BSS192,115
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 12Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 200mA |
Maksymalna tracona moc: | 1W |
Obudowa: | SOT89 |
Producent: | Philips |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 240V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS192,135
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnętrzny:
20000 szt.
ilość szt. | 699+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,6892 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS192,115
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,6741 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS192,115
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
ilość szt. | 699+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,6892 |
Rezystancja otwartego kanału: | 12Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 200mA |
Maksymalna tracona moc: | 1W |
Obudowa: | SOT89 |
Producent: | Philips |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 240V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |