BSS205NH6327XTSA1
Symbol Micros:
TBSS205n
Obudowa: SOT23-3
Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 BSS205NH6327XTSA1; BSS205N; PT2302B;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 85mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS205NH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2725 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9630 | 0,4880 | 0,2960 | 0,2350 | 0,2140 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS205NH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2140 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS205NH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
2900 szt.
| ilość szt. | 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2752 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS205NH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
72000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2140 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS205NH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
195000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2140 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 85mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
| Maksymalny prąd kolektora: | 2,5A |
| Moc strat: | 500mW |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 20V |