BSS205NH6327XTSA1

Symbol Micros: TBSS205n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 BSS205NH6327XTSA1; BSS205N; PT2302B;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 85mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,5A
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Producent: Infineon Symbol producenta: BSS205NH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2725 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9630 0,4880 0,2960 0,2350 0,2140
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 85mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,5A
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Maksymalny prąd kolektora: 2,5A
Moc strat: 500mW
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V