BSS215PH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSS215p
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 280mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS215PH6327XTSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |