BSS308PEH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSS308pe
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 130mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; BSS308PEH6327HTSA1 ; supplier allocated ; BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 130mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 130mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |