BSS606NH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSS606n
Obudowa: SOT89
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 90mOhm; 3,2A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS606NH6327XTSA1; BSS606NH6327TR; BSS606NH6327; BSS606NH6327XTSA1
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 90mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | SOT89 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS606NH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
990 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,2900 | 2,0800 | 1,6400 | 1,5000 | 1,4300 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS606NH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
58000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4300 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS606NH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
232000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 90mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | SOT89 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |