BSS670S2LH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSS670s2l
Obudowa: SOT23
N-MOSFET 55V 540mA 650mΩ 360mW BSS670S2LH6327XTSA1
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 650mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 360mW |
| Maksymalny prąd drenu: | 540mA |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS670S2LH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1292 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS670S2LH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
600 szt.
| ilość szt. | 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1831 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS670S2LH6433XTMA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt.
| ilość szt. | 10000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1494 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS670S2LH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
264000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1375 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS670S2LH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
915000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1317 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 650mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 360mW |
| Maksymalny prąd drenu: | 540mA |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |