BSS816NWH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSS816nw
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 240mOhm; 1,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS816NWH6327XTSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 240mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS816NWH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1050 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8200 | 0,3890 | 0,2190 | 0,1660 | 0,1490 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS816NWH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1563 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS816NWH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnętrzny:
402000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1490 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 240mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |