BSS816NWH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSS816nw
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 240mOhm; 1,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS816NWH6327XTSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 240mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 240mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |