BSS84 SOT23 LGE

Symbol Micros: TBSS84 LGE
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 130mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: P-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-08-20
Ilość szt.: 12000
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 130mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta