BSS84 SOT23 LGE
Symbol Micros:
TBSS84 LGE
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130mA |
| Maksymalna tracona moc: | 225mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | LGE |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130mA |
| Maksymalna tracona moc: | 225mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | LGE |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
BSS84,215-CN CHIPNOBO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Producent:
CHIPNOBO
Symbol producenta:
BSS84,215-CN RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2997 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3140 | 0,1210 | 0,0591 | 0,0470 | 0,0449 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)