BSS84 SOT23 LGE
Symbol Micros:
TBSS84 LGE
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 130mA |
Maksymalna tracona moc: | 225mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | LGE |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-08-20
Ilość szt.: 12000
Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 130mA |
Maksymalna tracona moc: | 225mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | LGE |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |