BSS84AK,215
Symbol Micros:
TBSS84ak
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 7,5Ohm; 180mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AK,215; BSS84AK.215;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 180mA |
| Maksymalna tracona moc: | 420mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS84AK,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4550 | 0,2090 | 0,1140 | 0,0849 | 0,0758 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS84AK,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
351000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0758 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 180mA |
| Maksymalna tracona moc: | 420mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |