BSS84AKW,115
Symbol Micros:
TBSS84akw
Obudowa: SOT323
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 150mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AKW.115; BSS84AKW,115; BSS84AKW;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 150mA |
| Maksymalna tracona moc: | 310mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: BSS84AKW,115 RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3600 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4900 | 0,8190 | 0,6440 | 0,5970 | 0,5720 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS84AKW,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5720 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 150mA |
| Maksymalna tracona moc: | 310mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |