BSZ180P03NS3GATMA1 INFINEON
Symbol Micros:
TBSZ180p03ns3g
Obudowa: TSDSON08
Trans MOSFET P-CH 30V 39.6A 8-Pin TSDSON EP
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 39,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | TSDSON08 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 39,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | TSDSON08 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |