BU406

Symbol Micros: TBU406
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 60W; 200V; 7A; 10MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BU406TU; BU406G;
Parametry
Moc strat: 60W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Częstotliwość graniczna: 10MHz
Maksymalny prąd kolektora: 7A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 200V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BU406G Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt.
ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3210
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 60W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Częstotliwość graniczna: 10MHz
Maksymalny prąd kolektora: 7A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 200V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta