BU406

Symbol Micros: TBU406
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 60W; 200V; 7A; 10MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BU406TU; BU406G;
Parametry
Moc strat: 60W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Częstotliwość graniczna: 10MHz
Maksymalny prąd kolektora: 7A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 200V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BU406G Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
46 szt.
ilość szt. 1+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 11,0874
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 60W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Częstotliwość graniczna: 10MHz
Maksymalny prąd kolektora: 7A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 200V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta