BU408

Symbol Micros: TBU408
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 60W; 200V; 7A; 10MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 60W
Producent: Inchange Semiconductors
Obudowa: TO220
Częstotliwość graniczna: 10MHz
Maksymalny prąd kolektora: 7A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 200V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd Symbol producenta: BU408 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4200 1,4700 1,1300 1,0200 0,9680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Moc strat: 60W
Producent: Inchange Semiconductors
Obudowa: TO220
Częstotliwość graniczna: 10MHz
Maksymalny prąd kolektora: 7A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 200V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta